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拒绝QLC颗粒!三星守住底线:最新一代236层闪存依旧TLC
时间:2022-11-08 09:20:26

三星今天(11月7日)宣布开始量产第8代V-NAND闪存芯片,堆到了236层。

上一代V-NAND其实只有176层,已经用在了旗舰SSD固态盘990 PRO上。

关于第八代V-NAND,有两点值得一说,一是三星介绍单芯片现在可以做到1Tb,也就是256GB的超大容量。二是这次依然是TLC颗粒(3 bits/cell)。

其实,部分厂商在进入到150+层的阶段后,开始大肆制造更具成本效益的QLC颗粒,好在这次坚守住了底线。

据悉,第8代V-NAND闪存芯片采用Toggle DDR5内部接口,传输速度2400Mbps,未来用于PCIe 5.0固态盘上,典型速度将能达到12.4GB/s。

因为生产效率提升20%,最终的SSD成品模组也有望更便宜。稍稍遗憾的是,三星这次并没有透露商用产品何时首发。

 

关键词: 三星宣布 生产效率提升20% SSD成品模组 闪存芯片

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