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三星电子计划三年内建立3纳米GAA工艺
时间:2022-06-21 08:51:35

基于 3 纳米的全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)工艺有望成为半导体行业的游戏规则改变者。三星电子计划在未来三年内通过建立 3 纳米 GAA 工艺,赶上全球第一大代工公司台积电。

GAA 是一种下一代工艺技术,它改进了半导体晶体管的结构,使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面,而不是当前 FinFET 工艺中的三个侧面。 GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。根据集邦咨询的数据,2021 年第 4 季度,台积电占全球代工市场的 52.1%,远超三星电子的 18.3%。

三星电子押注将 GAA 技术应用到 3 纳米制程以赶上台积电。据报道,这家韩国半导体巨头在 6 月初将晶圆置于 3 纳米 GAA 工艺中进行试量产,成为世界上第一家使用 GAA 技术的公司。它正在寻求通过技术飞跃立即缩小与台积电的差距。与 5 纳米工艺相比,3 纳米工艺将半导体性能和电池效率分别提高了 15% 和 30%,同时芯片面积减少了 35%。

继今年上半年将 GAA 技术应用于其 3 纳米工艺后,三星计划在 2023 年将其引入第二代 3 纳米芯片,并在 2025 年量产基于 GAA 的 2 纳米芯片。台积电的战略是今年下半年进入3nm半导体市场,采用稳定的FinFET工艺,而三星电子则押注 GAA 技术。

关键词: 三星电子 3纳米GAA工艺 全球代工市场 半导体晶体管

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