日前清华大学宣布，集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破， 首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管 ，晶体管栅极长度等效0.34nm。

据清华大学介绍，目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12nm以上，日本中在2012年实现了等效3nm的平面无结型硅基晶体管，2016年美国实现了物理栅长为1nm的平面硫化钼晶体管，而清华大学目前实现等效的物理栅长为0.34nm。

为进一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈，本研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极，通过石墨烯侧向电场来控制垂直的MoS2沟道的开关，从而实现等效的物理栅长为0.34nm。

目前全球半导体工业量产的芯片技术还是7nm、5nm工艺，实验室中有2nm甚至1nm工艺，那清华大学开发的0.34nm晶体管有什么意义呢?

IEEE官网上也介绍了这次突破，该研究的资深作者、北京清华大学电气工程师任天令在采访中表示，“我们已经实现了世界上最小的栅极长度晶体管”。

“在未来，人们几乎不可能制造小于0.34 nm的栅极长度，”任天令指出，“这可能是摩尔定律的最后一个节点。”

关键词： 清华大学 物理栅长 平面硫化钼 研究方面