网络消费网 >  IT > > 正文
英特尔公布下一代Intel4工艺:片间距降至30纳米
时间:2022-06-15 09:45:44

据 AnandTech 消息,英特尔现已分享了一些有关其下一代Intel4 工艺的消息。

据报道,该工艺将用于 2023 年发布的产品,它是英特尔第一个采用 EUV 的工艺。

Intel 4 将首先用于英特尔即将推出的 Meteor Lake 处理器,该处理器将属于英特尔第 14 代酷睿家族。除了在工艺技术上取得显着进步外,Meteor Lake 还将成为英特尔的第一个基于 tile / chiplet 的客户端CPU,使用 I / O 内核、CPU 内核和 GPU 内核等tile 模块。

英特尔公布的数据显示,Intel 4 的鳍片间距降至 30 纳米,是 Intel 7 的 34 纳米间距尺寸的 0.88 倍。同样,接触栅之间的间距现在为 50nm,低于之前的 60nm。英特尔声称 Intel4 的密度是 Intel7 的2 倍,或者更具体地说,晶体管的尺寸减少了一半。

此外,新工艺对金属层进行了重大更改。英特尔在其Intel 7 工艺的最底层用钴代替了铜,该公司认为出于晶体管寿命的原因,这是必要的。然而,从性能的角度来看,钴并没有那么好,长期以来人们一直怀疑钴是英特尔Intel 7的主要绊脚石之一。

对于 Intel 4,英特尔仍在使用钴,但现在他们使用的不是纯钴,而是所谓的增强铜 (eCu),即铜包覆钴。

性能方面,报道称在 0.65v 的等功率下,Intel 4 的频率与 Intel7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上时,等功率增益接近 10%。

英特尔称,Intel4 在电源效率方面的收益更大。在等频( 2.1 GHz 左右)下,Intel 4的功耗降低了 40%。随着频率的增加,收益递减。

关键词: 下一代Intel4工艺 鳍片间距 酷睿家族 电源效率

版权声明:
    凡注明来网络消费网的作品,版权均属网络消费网所有,未经授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明"来源:网络消费网"。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
    除来源署名为网络消费网稿件外,其他所转载内容之原创性、真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考并自行核实。
热文

网站首页 |网站简介 | 关于我们 | 广告业务 | 投稿信箱
 

Copyright © 2000-2020 www.sosol.com.cn All Rights Reserved.
 

中国网络消费网 版权所有 未经书面授权 不得复制或建立镜像
 

联系邮箱:553 138 779@qq.com

备案号:豫ICP备20022870号-6

营业执照公示信息