M的经验表达式为

M=1/[1－(V_d/BV)ⁿ]（7）

式中：BV为漏极同p-基极间电压；

n为常数。

由式(4)及式(7)可得

1＋γR_b＋(8a)

(8b)

1－=(1＋γR_b)(8c)

在“快回”点，由式(8a)和式(8b)得

I_d,SB－I_do=(1＋γR_b)I_b,SB=＋0.6γ（9）

由式(6)及式(7)得

V_d,SB=BV[1＋R_b(γ＋I_do/0.6)]^－1/n(10a)

V_d,SB=BV[0.6/R_bI_d,SB]^1/n(10b)

由式(10b)得

I_D,SB=I_c,SB＋I_d,SB=I_c,SB＋=I_c,SB＋I_b,SB(11)

式(11)说明，I_D,SB为MOSFET漏极寄生三极管集电极在二次击穿时的电流的总和。式(10a)表明，雪崩击穿电压随着I_do或R_b增大而减小。式(10b)则给出了雪崩击穿的边界电压。

大量的研究和试验表明，I_c,SB很小。另外，由于寄生三极管的增益较大，故在雪崩击穿时，三极管基极电子、空穴重新结合所形成的电流，以及从三极管集电极到发射极空穴移动所形成的电流，只占了MOSFET漏极电流的一小部分；所有的基极电流I_b流过R_b；当I_b使基极电位升高到一定程度时，寄生晶体管进入导通状态，MOSFET漏源极电压迅速下降，发生雪崩击穿故障。

3 功率MOSFET雪崩击穿的微观分析

双极性器件在发生二次击穿时，集电极电压会在故障瞬间很短时间内（可能小于1ns）衰减几百伏。这种电压锐减主要是由雪崩式注入引起的，主要原因在于：二次击穿时，器件内部电场很大，电流密度也比较大，两种因素同时存在，一起影响正常时的耗尽区固定电荷，使载流子发生雪崩式倍增。

对于不同的器件，发生雪崩式注入的情况是不同的。对于双极性晶体管，除了电场应力的原因外，正向偏置时器件的热不稳定性，也有可能使其电流密度达到雪崩式注入值。而对于MOSFET，由于是多数载流子器件，通常认为其不会发生正向偏置二次击穿，而在反向偏置时，只有电气方面的原因能使其电流密度达到雪崩注入值，而与热应力无关。以下对功率MOSFET的雪崩击穿作进一步的分析。

如图1所示，在MOSFET内部各层间存在寄生二极管、晶体管（三极管）器件。从微观角度而言，这些寄生器件都是器件内部PN结间形成的等效器件，它们中的空穴、电子在高速开关过程中受各种因素的影响，会导致MOSFET的各种不同的表现。

导通时，正向电压大于门槛电压，电子由源极经体表反转层形成的沟道进入漏极，之后直接进入漏极节点；漏极寄生二极管的反向漏电流会在饱和区产生一个小的电流分量。而在稳态时，寄生二极管、晶体管的影响不大。

关断时，为使MOSFET体表反转层关断，应当去掉栅极电压或加反向电压。这时，沟道电流（漏极电流）开始减少，感性负载使漏极电压升高以维持漏极电流恒定。漏极电压升高，其电流由沟道电流和位移电流（漏极体二极管耗尽区生成的，且与dV_DS/dt成比例）组成。漏极电压升高的比率与基极放电以及漏极耗尽区充电的比率有关；而后者是由漏－源极电容、漏极电流决定的。在忽略其它原因时，漏极电流越大电压会升高得越快。

如果没有外部钳位电路，漏极电压将持续升高，则漏极体二极管由于雪崩倍增产生载流子，而进入持续导通模式（Sustaining Mode）。此时，全部的漏极电流（此时即雪崩电流）流过体二极管，而沟道电流为零。

由上述分析可以看出，可能引起雪崩击穿的三种电流为漏电流、位移电流（即dV_DS/dt电流）、雪崩电流，三者理论上都会激活寄生晶体管导通。寄生晶体管导通使MOSFET由高压小电流迅速过渡到低压大电流状态，从而发生雪崩击穿。

4 雪崩击穿时能量与温度的变化

在开关管雪崩击穿过程中，能量集中在功率器件各耗散层和沟道中，在寄生三极管激活导通发生二次击穿时，MOSFET会伴随急剧的发热现象，这是能量释放的表现。以下对雪崩击穿时能量耗散与温升的关系进行分析。

雪崩击穿时的耗散能量与温升的关系为

Δθ_M∝（12）

雪崩击穿开始时，电流呈线性增长，增长率为

di/dt=V_BR/L（13）

式中：V_BR为雪崩击穿电压(假设为恒定)；

L为漏极电路电感。

关键词： 问题 分析 击穿 雪崩 MOSFET 功率