在第一季财报公布后，韩系DRAM厂海力士(Hynix)在产能调整下，第一季DRAM比特销售率仅成长5%，而欧洲DRAM厂奇梦达(Qimonda)第一季DRAM比特销售率为-9%。华亚科(Intotera)也在转进70nm中，产出成长平缓。虽然日系厂商尔必达(Elpida) 第一季产出高达33%，但其DDR2客户主要为数家大模块厂，而非计算机系统厂商(PC OEMs)，使得DRAM的产出在合约市场供给呈现吃紧。加上市场预期DRAM价格落底讯号形成而不断拉高库存，造成四月份现货颗粒价格大涨，自三月中至五月初，品牌颗粒DDR2 1Gb 667MHz由1.91美元上涨至2.16美元，上涨了11.3%，DDR2 1Gb 677MHz eTT更由1.6美元涨至2.04美元，大涨约27.5%。
在DRAM合约市场供给趋紧，DRAM现货价大涨及DRAM 512Mb合约价与现货价于去年12月初皆跌破1美元，长达5个月价格都低于1美元。DRAM厂终于在四月下旬成功调涨合约价3-5%，再于5月上旬成功调涨10%。在返校需求备货旺季即将来临，DRAM厂大减资本支出、停止扩产下，DRAM厂乐观期待合约价1GB能续涨至23美元( 2.5美元/1Gb )。
上周DRAM现货市场的颗粒价格在大涨后，呈现平稳的价格走势，涨跌之间约只在1%左右的幅度，DDR2 eTT 512Mb与1Gb价格分别守在约0.99美元与2.02美元左右。现货颗粒价格有盘坚向上的趋势。虽然力晶、尔必达eTT产出量在瑞晶产能开出下持续增加，但市场需求增温，eTT价格涨幅远超过品牌颗粒。
根据集邦科技统计，以现货市场四月份的DDR2 512Mb eTT及DDR2 1Gb eTT现货颗粒的最高与最低价格来分析，DDR2 512Mb eTT为1.0美元与0.83美元，DDR2 1Gb eTT为1.68美元与2.04美元，分别上涨了20.5%与21.4%。而在品牌颗粒的部份，DDR2 667MHz 512Mb 为1.01美元与0.93美元，DDR2 667MHz 1Gb 为1.94美元与2.16美元，分别上涨了8.6%与11.3%。由市场面来观察，DRAM价格筑底完成及对于未来价格持续上涨的期待是带动现货价格上涨的主要因素。
