Hynix宣布，其54nm工艺1Gb DDR2 DRAM内存生产技术已经获得Intel的认证许可，这也是内存业界首次步入50nm级别。与60nm相比，54nm可以让内存芯片面积减小大约40％之多，从而大大降低生产成本，并改进频率功耗指标。此外，Hynix还提出了“三维晶体管”架构和“W-DPG”技术可以将电流泄漏降到最低，从而进一步降低总体功耗。Hynix称，54nm技术将从明年下半年开始用于生产DDR2和DDR3内存芯片，容量1Gb、2Gb，此外该技术还可在未来用于生产显存芯片和移动内存芯片。 Hynix 对于大家而言相信并不陌生 Hynix 作为全球最重要的内存颗粒生产商之一，它取得50nm制程的认证书在某程度上将会掀起内存颗粒技术的新一轮制程技术革新，毕竟其他内存颗粒生产上不会对被对手抛离而坐视不管。但是如果问什么时候，我们才能感受到50nm级内存所带来的好处……笔者只能说，好好等上一阵子吧。
Hynix 作为全球最重要的内存颗粒生产商之一，它取得50nm制程的认证书在某程度上将会掀起内存颗粒技术的新一轮制程技术革新，毕竟其他内存颗粒生产上不会对被对手抛离而坐视不管。但是如果问什么时候，我们才能感受到50nm级内存所带来的好处……笔者只能说，好好等上一阵子吧。
